[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811024205.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109244134A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市南硕明泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管，包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在外延层的上表面的介质层、贯穿外延层且延伸至所述衬底的保护区、形成在外延层上第二导电类型的第一注入区和第二注入区、形成在第一注入区上第一导电类型的第三注入区和第四注入区、形成在第二注入区上第一导电类型的第五注入区、间隔形成在介质层上的第一栅极和源极，第一栅极和源极均与所述第二注入区以及第五注入区电连接，且第一栅极与第四注入区电连接,保护区与第三注入区电连接，漏极形成在衬底的下表面。其还公开了上述场效应晶体管的制备方法。其不会增加晶体管的面积和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 注入区 第一导电类型 外延层 衬底 场效应晶体管 电连接 保护区 介质层 上表面 源极 制备 导电类型 制造成本 面积和 下表面 晶体管 漏极 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层的上表面的介质层、贯穿所述外延层且延伸至所述衬底的保护区、形成在所述外延层上第二导电类型的第一注入区和第二注入区、形成在所述第一注入区上第一导电类型的第三注入区和第四注入区、形成在所述第二注入区上第一导电类型的第五注入区、间隔形成在所述介质层上的第一栅极和源极，所述第一栅极和所述源极均与所述第二注入区以及所述第五注入区电连接，且所述第一栅极与所述第四注入区电连接,所述保护区与所述第三注入区电连接，漏极形成在所述衬底的下表面。
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