[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造金属图案和薄膜晶体管衬底的方法有效
| 申请号： | 201811019029.9 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109423648B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 梁熙星;朴弘植;郑锺鉉;金相佑;李大雨 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;株式会社东进世美肯 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了蚀刻剂组合物，包含10wt％至20wt％的过氧化氢、0.1wt％至2wt％的基于唑的化合物、0.1wt％至10wt％的无机酸化合物、0.1wt％至5wt％的水面稳定剂、0.01wt％至0.1wt％的氟化物、0.1wt％至10wt％的基于硫酸盐的化合物以及以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt％的量包含的水。根据本发明构思的实施方案的蚀刻剂组合物可以用于蚀刻含铜和钼‑钛合金的金属膜以形成金属图案，或者用于制造薄膜晶体管衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 使用 制造 金属 图案 薄膜晶体管 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.蚀刻剂组合物，包含：10wt％至20wt％的过氧化氢；0.1wt％至2wt％的基于唑的化合物；0.1wt％至10wt％的无机酸化合物；0.1wt％至5wt％的水面稳定剂；0.01wt％至0.1wt％的氟化物；0.1wt％至10wt％的基于硫酸盐的化合物；以及以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt％的量包含的水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司;株式会社东进世美肯，未经三星显示有限公司;株式会社东进世美肯许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811019029.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
