[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造金属图案和薄膜晶体管衬底的方法

权利要求书

1.蚀刻剂组合物，包含：

10wt％至20wt％的过氧化氢；

0.1wt％至2wt％的基于唑的化合物；

0.1wt％至10wt％的无机酸化合物；

0.1wt％至5wt％的水面稳定剂；

0.01wt％至0.1wt％的氟化物；

0.1wt％至10wt％的基于硫酸盐的化合物；以及

以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt％的量包含的水，

其中所述基于硫酸盐的化合物包括选自硫酸氢铵、硫酸钙、硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸镁、硫酸氢镁、硫酸锂、硫酸氢锂、硫酸铝、硫酸氢铝、硫酸铵铝、硫酸锰、硫酸铁(II)、硫酸氢铁(II)、硫酸铵铁(II)、硫酸铜、硫酸锌、甲磺酸、过硫酸铵、过氧二硫酸钠及其组合中的至少一种。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述基于唑的化合物包括选自苯并三唑、氨基三唑、氨基四唑、咪唑、吡唑及其组合组成的组中的至少一种。

3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述无机酸化合物包括选自磷酸、硝酸、硫酸、氯化氢、次磷酸、碳酸、硼酸、氨基磺酸及其组合中的至少一种。

4.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述水面稳定剂包括选自磷酸、亚磷酸、脲、苯脲、烯丙基脲、1,3-二甲基脲、硫脲、苯乙酰胺、苯基乙二醇及其组合中的至少一种。

5.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述氟化物包括选自氢氟酸、氟化钠、氟氢化钠、氟化铵、氟氢化铵、氟硼酸铵、氟化钾、氟氢化钾、氟化铝、氢氟硼酸、氟化锂、氟硼酸钾、氟化钙、六氟硅酸及其组合中的至少一种。

6.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物蚀刻钼-钛合金膜和铜膜的多层膜。

7.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物不包含亚氨基二乙酸。

8.用于制造金属图案的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成含钼合金和铜的金属膜；

在所述金属膜上形成光致抗蚀剂图案；

使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模用权利要求1至7中任一项所述的蚀刻剂组合物使所述金属膜图案化；以及

去除所述光致抗蚀剂图案。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述金属膜包括含钼和钛的第一金属膜和布置在所述第一金属膜上并含铜的第二金属膜。

10.用于制造薄膜晶体管衬底的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成栅极线和与所述栅极线连接的栅电极；

形成与所述栅极线交叉并同时与其绝缘的数据线、与所述数据线连接的源电极、与所述源电极间隔开的漏电极；以及

形成与所述漏电极连接的像素电极，

其中形成所述栅极线和所述栅电极的步骤包括以下步骤：

形成含钼合金和铜的金属膜；

在所述金属膜上形成光致抗蚀剂图案；

使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模用权利要求1至7中任一项所述的蚀刻剂组合物使所述金属膜图案化；以及

去除所述光致抗蚀剂图案。