[发明专利]一种CsPbBr3薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811009587.7 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109097741A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张立春;黄于;赵风周;张登英;徐满 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264025 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CsPbBr3薄膜的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底表面，用氮气吹干后，将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室；将衬底温度升至90℃；采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材，在单晶硅表面生长一层CsPbBr3薄膜；生长结束后将样品取出，用去离子水清洗后，用氮气吹干。该制备方法简单，反应温度低，反应时间短，成本低，适用于工业化生产；可以获得大面积均匀致密、结晶质量高且光电性能优异的CsPbBr3薄膜，满足其在发光材料、太阳能电池等光电器件领域中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 氮气吹干 清洗 脉冲激光沉积技术 脉冲激光沉积系统 光电器件领域 单晶硅 单晶硅表面 反应时间短 太阳能电池 真空生长室 衬底表面 发光材料 光电性能 均匀致密 去离子水 生长 靶材 衬底 刻蚀 置入 取出 应用 | ||
【主权项】：
1.一种CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：清洗单晶硅衬底表面，用氮气吹干后，将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室；S2：利用L‑MBE程序将衬底升温至90℃，稳定十分钟，电流约为2A；S3：采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材，在单晶硅衬底表面生长一层CsPbI3薄膜；S4：生长结束后将样品取出，用去离子水清洗后，用氮气吹干。
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