[发明专利]一种CsPbBr3薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：清洗单晶硅衬底表面，用氮气吹干后，将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室；

S2：利用L-MBE程序将衬底升温至90℃，稳定十分钟，电流约为2A；

S3：采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材，在单晶硅衬底表面生长一层CsPbI₃薄膜；

S4：生长结束后将样品取出，用去离子水清洗后，用氮气吹干。

2.根据权利要求1所述的CsPbI₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中衬底升温的工艺条件为：升温温度范围为室温~200℃。

3.根据权利要求1所述的CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中生长的CsPbI₃薄膜的沉积厚度为100nm~400nm。

4.根据权利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中脉冲激光沉积技术的具体工艺条件为：背景真空为1×10-6Pa~5×10-6Pa，衬底温度为室温~400℃，激光能量为250mJ~350mJ，激光频率为5Hz~10Hz，激光功率为1.25W~3.5W，薄膜生长速度为2Å/s~11Å/s。

5.根据权利要求3所述的CsPbI₃薄膜的制备方法，其特征在于，室温为25℃~30℃。

6.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述靶材为CsPbBr₃靶，该CsPbBr₃靶是利用摩尔比为1:1的CsBr粉末和PbBr₂粉末混合研磨均匀后，以40MPa压强制成的直径为1英寸、厚度为5mm的圆柱形靶材。

7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3的具体为：利用高功率脉冲激光高温刻蚀CsPbBr₃靶，形成等离子羽辉，经过等离子体的绝热膨胀过程，最后定向扩散到单晶硅衬底上成核生长，形成CsPbBr₃薄膜。

8.根据权利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述靶材与单晶硅衬底之间的距离为5cm。