[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811000371.4 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875383B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其包含通道层，设置于衬底上方；阻挡层，设置于通道层上方；化合物半导体层和掺质保持层，设置于阻挡层上方；一对源极/漏极，设置于衬底上方且位于化合物半导体层的两侧；以及栅极，设置于化合物半导体层上。本发明在半导体装置设置掺质保持层，以避免化合物半导体层中的掺质扩散至周围的组件，同时避免例如腐蚀工艺等后续工艺影响掺质保持层以内的区域，提升半导体装置的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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