[发明专利]相变化存储结构在审
| 申请号： | 201810989997.6 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427971A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡伊甄;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提供的相变化存储单元在加热器与相变化元件之间具有低偏差接触区。相变化存储单元包含底电极、介电层、加热器、相变化元件、与顶电极。介电层位于底电极上。加热器自底电极向上延伸穿过介电层。此外，加热器的上表面实质上平坦，且低于介电层的上表面。相变化元件位于介电层上，并凸出至介电层中以接触加热器的上表面。本公开实施例亦提供相变化存储单元的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 加热器 相变化 相变化元件 存储单元 底电极 上表面 存储结构 向上延伸 凸出 低偏差 顶电极 接触区 平坦 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储结构，包括：一底电极；一介电层，位于该底电极上；一加热器，自该底电极向上延伸穿过该介电层，其中该加热器的上表面实质上平坦，并比该介电层的上表面低，以及一相变化元件，位于该介电层上，并凸出至该介电层中以接触该加热器的上表面。
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