[发明专利]多晶圆堆叠结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种多晶圆堆叠结构及方法。在该多晶圆堆叠结构中，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接，第二互连层通过第二开孔与第一互连层电连接，第三互连层通过第三开孔与第三金属层电连接，且第二互连层与所述第三互连层相接触，不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时减少多晶圆堆叠厚度从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小。并且，不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工。以及，所述第二互连层与所述第三互连层相接触缩短晶圆间互连距离，进而降低寄生电容和功率损耗，提高了传输速度。

主权项

1.一种多晶圆堆叠结构，其特征在于，包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、第一介质层和第一金属层；第二晶圆，所述第二晶圆包括第二衬底、第二介质层和第二金属层，所述第一介质层与所述第二介质层相互键合；第一开孔，所述第一开孔包括第一下开孔和第一上开孔；所述第一下开孔贯穿所述第一衬底、第一介质层和部分厚度的第二介质层，所述第一下开孔位于所述第二金属层上方并暴露出部分所述第二金属层；所述第一上开孔贯穿所述第一衬底和部分厚度的第一介质层，所述第一上开孔暴露出部分所述第一金属层；所述第一下开孔与所述第一上开孔连通；第一互连层，所述第一互连层通过所述第一开孔与所述第二金属层和第一金属层电连接；绝缘层，所述绝缘层位于所述第一衬底和所述第一互连层表面；第二开孔，所述第二开孔贯穿所述绝缘层，所述第二开孔位于所述第一互连层上方并暴露出部分所述第一互连层；第三晶圆，所述第三晶圆包括第三衬底、第三介质层和第三金属层；第三开孔，所述第三开孔贯穿部分所述第三介质层，并暴露出部分所述第三金属层，所述第三开孔与所述第二开孔对应布置；第二互连层，所述第二互连层通过所述第二开孔与所述第一互连层电连接；以及，第三互连层，所述第三互连层通过所述第三开孔与所述第三金属层电连接，所述第二互连层与所述第三互连层相接触。