[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810988088.0 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427822A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 藤卷浩和;金子恒一 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/778;H01L29/78;H01L21/86;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。谋求包含化合物半导体元件和硅半导体元件的半导体装置的性能提高。半导体装置包含：绝缘基板；化合物半导体层，被设置于绝缘基板的表面的第一区域；以及硅层，被设置于绝缘基板的表面的与第一区域不同的第二区域。半导体装置包含：第一栅极电极，被设置在化合物半导体层的表面；一对导电构件，被设置在化合物半导体层的表面的将第一栅极电极夹持在中间的位置；第二栅极电极，被设置在硅层的表面；以及一对扩散层，被设置在硅层内、将第二栅极电极夹持在中间的位置。导电构件的一个与扩散层的一个电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 栅极电极 化合物半导体层 绝缘基板 硅层 导电构件 第一区域 扩散层 夹持 化合物半导体元件 硅半导体元件 第二区域 电连接 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，包含：绝缘基板；化合物半导体层，被设置于所述绝缘基板的表面的第一区域；以及硅层，被设置于所述绝缘基板的表面的与所述第一区域不同的第二区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
