[发明专利]晶体管、半导体组件及形成闪存组件的方法

摘要

本发明公开了一种晶体管、半导体组件及形成闪存组件的方法，晶体管包括基板、栅极与栅极介电层。基板具有多个源极/漏极区与信道区，信道区位于这些源极/漏极区之间。栅极介电层位于栅极与基板之间，其中基板朝着远离栅极介电层的方向渐缩。借由上述结构，晶体管的结构密度可以被改善。

主权项

1.一种晶体管，其特征在于，包含：基板，具有多个源极/漏极区及信道区，该信道区位于所述源极/漏极区之间；栅极；以及栅极介电层，位于所述栅极及所述基板之间，其中所述基板朝着远离所述栅极介电层的方向渐缩。