[发明专利]一种芯片镜面抛光研磨工艺在审
| 申请号： | 201810981316.1 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109273349A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王小波;陈浩平;谢崇平 | 申请（专利权）人： | 无锡芯坤电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片镜面抛光研磨工艺，包括如下步骤：S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。本发明提供的一种芯片镜面抛光研磨工艺，与传统技术相比，该方法采用胆碱清洗代替氢氧化钠清洗，硅片表面的划痕大为改观，改善表面加工质量；加装INNERNOZZLE水冷系统，改善硅片表面的冷却效果；提高产品厚度均匀性，提高产品平整度；不用蜡，减少清洗试剂污染，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 硅片表面 镜面抛光 研磨 清洗 粉尘颗粒 芯片 粗抛 胆碱 吸盘 产品平整度 厚度均匀性 冷却水系统 表面加工 超声清洗 冷却效果 磨片处理 抛光磨轮 喷水冷却 氢氧化钠 清洁处理 清洗试剂 水冷系统 粗糙度 烘干 划痕 加装 去除 打磨 污染 | ||
【主权项】：
1.一种芯片镜面抛光研磨工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
