[发明专利]制造掩模层在审
| 申请号： | 201810941195.8 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411339A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曾文德;J-F·德马尔内夫 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 在第一方面，本发明涉及用于制造掩模层的方法，所述方法包括：a.提供其上具有图案化层(400)的基材(100,200,300)，该图案化层(400)包括至少一个开口(500)，该开口(500)暴露基材(100,200,300)并具有宽度，以及b.用金属或陶瓷材料相对于基材(100,200,300)选择性地渗透图案化层(400)；其中，步骤b进行到这样的程度，使得宽度(w)减小至少20％，优选至少35％，更优选至少50％。 | ||
| 搜索关键词： | 图案化层 基材 掩模层 优选 开口 陶瓷材料 减小 制造 金属 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制备掩模层(600)的方法，所述方法包括：a.提供其上具有图案化层(400)的基材(100,200,300)，所述图案化层(400)包括至少一个开口(500)，所述开口(500)暴露所述基材(100,200,300)并具有宽度(w)和长度(l)，以及b.用金属或陶瓷材料相对于基材(100,200,300)选择性地渗透图案化层(400)；其中，步骤b进行到这样的程度，使得宽度(w)和长度(l)中的至少一个减小至少20％，优选至少35％，更优选至少50％，从而形成掩模(600)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
