[发明专利]制造掩模层

说明书

在第一方面，本发明涉及用于制造掩模层的方法，所述方法包括：a.提供其上具有图案化层(400)的基材(100,200,300)，该图案化层(400)包括至少一个开口(500)，该开口(500)暴露基材(100,200,300)并具有宽度，以及b.用金属或陶瓷材料相对于基材(100,200,300)选择性地渗透图案化层(400)；其中，步骤b进行到这样的程度，使得宽度(w)减小至少20％，优选至少35％，更优选至少50％。

技术领域

本发明涉及用于制造器件(例如半导体器件)的掩模层，尤其涉及减小这种掩模层中开口的宽度。

发明背景

目前的光学光刻技术对于其可以实现的最小特征尺寸具有限制。这个事实在若干行业中是有问题的，并且在半导体工业中是最关键的，例如，纳米电子晶体管的持续缩放推动了尺寸超出当前光学光刻技术能力的特征的图案化。减小通过光刻技术获得的掩模层中开口(例如沟槽或孔)的尺寸(例如宽度)的一种方法是使用原子层沉积(ALD)技术涂覆开口的内部(参见H.-S.Moon等人，高级功能材料(Advanced functional materials)，24卷，27期，4343-4348页)。然而，该方法通常还涂覆开口的底部，这在掩模的图案必须转移到下面的层时是一个大问题。实际上，当目标是纳米尺寸特征并且如果使用可以打开涂覆底部的蚀刻技术时，则通常还将移除侧面，并且可能部分或完全无法实现开口尺寸的减小。当底部和侧面都由相同材料制成时，相对于侧面选择性地打开底部对于解决纳米尺寸特征是非常重要的挑战，因为即使定向蚀刻技术也不是完全各向异性的。此外，ALD涂层通常会对其涂覆的材料产生粘附问题或应力问题，这会降低可以转移的图案的质量。此外，ALD通常必须在亲水表面上进行，这限制了可以使用的材料的范围。另外，当在图案转移期间，几乎不可避免地会发生蚀刻掉ALD涂层到打开到下面的材料，此时，由于ALD涂层和下面的材料之间的蚀刻速率通常明显不同，所以进一步的蚀刻可能变得难以控制。

因此，本领域仍然需要制造掩模层的方法，其解决了上面概述的一些或所有问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供良好的掩模层及其制造方法。上述目的通过本发明的方法、组件或应用来实现。

本发明的实施方式的优点在于，可以减小图案化开口(例如沟槽或孔)的宽度和长度中的至少一个。本发明实施方式的另一个优点是减小的宽度可以小于用传统图案化和蚀刻技术可获得的宽度。本发明实施方式的又一个优点是可以相对容易地很好地控制开口宽度和/或长度的减小。

本发明实施方式的一个优点是可以改进下面的基材相对于掩模层的蚀刻选择性。

本发明实施方式的一个优点在于可以改进掩模层的抗蚀性。

本发明实施方式的一个优点在于可以改进储存期间掩模层的寿命。

本发明实施方式的一个优点在于它们可以相对便宜并且易于实施。

在第一方面，本发明涉及用于制造掩模层的方法，所述方法包括：

a.提供其上具有图案化层的基材，所述图案化层包括至少一个开口，所述开口暴露所述基材并具有宽度和长度，以及

b.用金属或陶瓷材料相对于基材选择性地渗透图案化层；

其中，步骤b进行到这样的程度，使得宽度和长度中的至少一个减小至少20％，优选至少35％，更优选至少50％，从而形成掩模。

本发明还可以涉及一种用于对基材进行图案化的方法，包括进行根据第一方面的任何实施方式的方法，并且还包括在步骤b之后进行以下步骤c：

c.通过具有减小的宽度和/或长度的开口，相对于掩模选择性地蚀刻基材。