[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201810939779.1 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411322B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸儿;永关一也;桧森慎司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，其特征在于：所述等离子体处理装置包括：形成有腔室的腔室主体；设置在所述腔室主体内的、包括下部电极的工作台，该工作台以能够支承载置在其上的基片的方式设置；供给高频的高频电源，所述高频用于激励被供给到所述腔室的气体；和产生直流电压的一个以上的直流电源，所述直流电压具有负极性并用于被施加至所述下部电极，所述等离子体处理方法包括：从所述高频电源供给高频以生成被供给至所述腔室的气体的等离子体的步骤；和从所述一个以上的直流电源对所述下部电极施加具有负极性的直流电压以将所述等离子体中的离子引入到所述基片的步骤，在施加直流电压的所述步骤中，所述直流电压被周期性地施加至所述下部电极，在各个周期内所述直流电压施加至所述下部电极的期间所占的比率设定为40％以下。
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