[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种在等离子体处理装置中执行的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置包括：

形成有腔室的腔室主体；

设置在所述腔室主体内的、包括下部电极的工作台，该工作台以能够支承载置在其上的基片的方式设置；

供给高频的高频电源，所述高频用于激励被供给到所述腔室的气体；和

产生直流电压的一个以上的直流电源，所述直流电压具有负极性并用于被施加至所述下部电极，

所述等离子体蚀刻方法包括：

从所述高频电源供给高频以生成被供给至所述腔室的气体的等离子体的步骤；和

从所述一个以上的直流电源对所述下部电极施加具有负极性的直流电压以将所述等离子体中的离子引入到所述基片的步骤，

在施加直流电压的所述步骤中，所述直流电压被周期性地施加至所述下部电极，并且，在各个周期内施加所述直流电压的第一期间的时间长度和该第一期间中的所述等离子体的电位相乘所得的值，与停止施加所述直流电压的第二期间的时间长度和该第二期间中的所述等离子体的电位相乘所得的值之比保持不变的状态下，在各个周期内所述第一期间所占的比率设定为40％以下。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述比率设定为35％以下。

3.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

所述等离子体处理装置中，作为所述一个以上的直流电源包括多个直流电源，

在各个周期内，施加至所述下部电极的所述直流电压由从所述多个直流电源依次输出的多个直流电压形成。

4.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

在施加所述直流电压的所述第一期间中供给所述高频，在停止所述直流电压的施加的所述第二期间中停止所述高频的供给。

5.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

在施加所述直流电压的所述第一期间中停止所述高频的供给，在停止所述直流电压的施加的所述第二期间中供给所述高频。

6.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，包括：

形成有腔室的腔室主体；

设置在所述腔室主体内的、包括下部电极的工作台，该工作台以能够支承载置在其上的基片的方式设置；

供给高频的高频电源，所述高频用于激励被供给到所述腔室的气体；

产生直流电压的一个以上的直流电源，所述直流电压具有负极性并用于被施加至所述下部电极；

切换机构，其能够使所述直流电压向所述下部电极的施加停止；和

控制所述切换机构的控制器，其中，

所述控制器在蚀刻所述基片时控制所述切换机构，以使得来自所述一个以上的直流电源的负极性的直流电压周期性地施加至所述下部电极，以将在所述腔室内生成的气体的等离子体中的离子引入到所述基片，并且，在各个周期内施加所述直流电压的第一期间的时间长度和该第一期间中的所述等离子体的电位相乘所得的值，与停止施加所述直流电压的第二期间的时间长度和该第二期间中的所述等离子体的电位相乘所得的值之比保持不变的状态下，使得在各个周期内所述第一期间所占的比率设定为40％以下。

7.如权利要求6所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述控制器以使所述比率设定为35％以下的方式控制所述切换机构。

8.如权利要求6或7所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

作为所述一个以上的直流电源包括多个直流电源，

所述控制器控制所述切换机构，使得在各个周期内，施加至所述下部电极的所述直流电压由从所述多个直流电源依次输出的多个直流电压形成。

9.如权利要求6或7所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述控制器控制所述高频电源，使得在施加所述直流电压的所述第一期间中供给所述高频，在停止所述直流电压的施加的所述第二期间中停止所述高频的供给。

10.如权利要求6或7所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述控制器控制所述高频电源，使得在施加所述直流电压的所述第一期间中停止所述高频的供给，在停止所述直流电压的施加的所述第二期间中供给所述高频。