[发明专利]集成电路器件鳍、集成电路及其形成方法

摘要

本文提供了集成电路的实例以及用于形成该集成电路的方法。在一些实例中，一种方法包括接收衬底，该衬底包括：在衬底的其余部分上方延伸的多个鳍；第一区域，包括含有多个鳍的第一子集的第一防护区域；以及第二区域，包括含有多个鳍的第二子集的第二防护区域。第一区域具有第一性能特征，并且第二区域具有与第一性能特征不同的第二性能特征。基于第一性能特征，将多个鳍的第一子集凹陷至第一高度，并且基于第二性能特征，将多个鳍的第二子集凹陷至小于第一高度的第二高度。

主权项

1.一种用于形成集成电路的方法，包括：接收衬底，所述衬底包括：多个鳍，在所述衬底的其余部分上方延伸；第一区域，包括第一防护区域，所述第一防护区域包括所述多个鳍的第一子集；以及第二区域，包括第二防护区域，所述第二防护区域包括所述多个鳍的第二子集；其中，所述第一区域具有第一性能特征；以及其中，所述第二区域具有不同于所述第一性能特征的第二性能特征；基于所述第一性能特征，将所述多个鳍的第一子集凹陷至第一高度；以及基于所述第二性能特征，将所述多个鳍的第二子集凹陷至小于所述第一高度的第二高度。