[发明专利]集成电路器件鳍、集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路的方法，包括：

接收衬底，所述衬底包括：

多个鳍，在所述衬底的其余部分上方延伸；

第一区域，包括第一防护区域，所述第一防护区域包括所述多个鳍的第一子集；以及

第二区域，包括第二防护区域，所述第二防护区域包括所述多个鳍的第二子集；

其中，所述第一区域具有第一性能特征；以及

其中，所述第二区域具有不同于所述第一性能特征的第二性能特征；

基于所述第一性能特征，将所述多个鳍的第一子集凹陷至第一高度；以及

基于所述第二性能特征，将所述多个鳍的第二子集凹陷至小于所述第一高度的第二高度，

其中，所述衬底的第一区域还包括没有鳍的第一保护环区域，并且，所述第一子集中的每个鳍均在所述第一保护环区域中的衬底的顶面之上延伸。

2.根据权利要求1所述的用于形成集成电路的方法，其中，所述防护区域的长度介于1倍至30倍的鳍间距之间。

3.根据权利要求2所述的用于形成集成电路的方法，其中，所述第一子集中的每个鳍均在所述第一保护环区域中的衬底的顶面之上延伸至之间。

4.根据权利要求2所述的用于形成集成电路的方法，其中，所述第一防护区域中的衬底的整个顶面位于所述第一保护环区域中的衬底的顶面处或上方。

5.根据权利要求2所述的用于形成集成电路的方法，其中，所述衬底的第二区域还包括没有鳍的第二保护环区域，并且所述第二子集中的每个鳍均凹陷至所述第二保护环区域中的衬底的顶面下方。

6.根据权利要求5所述的用于形成集成电路的方法，其中，所述第二子集中的每个鳍均位于所述第二保护环区域中的衬底的顶面下方的至之间。

7.根据权利要求5所述的用于形成集成电路的方法，其中，所述第二防护区域中的衬底的整个顶面位于所述第二保护环区域中的衬底的顶面处或下方。

8.根据权利要求5所述的用于形成集成电路的方法，还包括在所述第一保护环区域和所述多个鳍的第一子集上形成第一隔离部件以及在所述第二保护环区域和所述多个鳍的第二子集上形成第二隔离部件。

9.根据权利要求1所述的用于形成集成电路的方法，还包括在所述第一区域和所述第二区域内的多个鳍上形成电路器件，其中，所述第一性能特征包括第一器件密度，并且所述第二性能特征包括第二器件密度。

10.根据权利要求1所述的用于形成集成电路的方法，还包括在所述第一区域和所述第二区域内的多个鳍上形成电路器件，其中，所述多个鳍的第一子集的凹陷基于在所述第一区域中形成SRAM器件，并且所述多个鳍的第二子集的凹陷基于在所述第二区域中形成逻辑器件。

11.一种用于形成集成电路的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

衬底；

硬掩模层，设置在所述衬底上；和

图案化层，设置在所述硬掩模层上，使得所述图案化层暴露所述硬掩模层的第一部分和第二部分；

蚀刻所述硬掩模层的第一部分和第二部分，使得所述蚀刻对位于所述硬掩模层的第一部分下面的所述衬底的第一部分进行蚀刻，而不显著蚀刻位于所述硬掩模层的第二部分下面的衬底的第二部分；以及

蚀刻所述衬底以限定多个鳍，使得邻近所述多个鳍中的鳍的第一沟槽延伸的深度大于邻近所述鳍的第二沟槽的深度，所述第一沟槽和所述第二沟槽为相邻鳍之间的沟槽。

12.根据权利要求11所述的用于形成集成电路的方法，还包括在所述鳍上形成晶体管。

13.根据权利要求11所述的用于形成集成电路的方法，其中，所述硬掩模层是凹进的，使得所述硬掩模层的第一部分的顶面低于所述硬掩模层的第二部分的顶面。