[发明专利]半导体装置的形成方法

摘要

一种半导体装置的形成方法包含提供具有基底、鳍片及栅极结构的结构；执行一布植制程，以将掺质布植至邻近栅极结构的鳍片中；及形成栅极侧壁间隔物和鳍片侧壁间隔物。此方法还包含执行第一蚀刻制程，以凹蚀邻近栅极侧壁间隔物的鳍片，而保留鳍片的至少一部分于鳍片侧壁间隔物上。此方法还包含执行另一布植制程，以将掺质布植至鳍片及鳍片侧壁间隔物中；及执行第二蚀刻制程，以凹蚀邻近栅极侧壁间隔物的鳍片，直到鳍片的顶面在鳍片侧壁间隔物的顶面下，从而在鳍片侧壁间隔物之间产生沟槽。此方法还包含外延成长半导体材料于沟槽中。

主权项

1.一种半导体装置的形成方法，包括：提供一结构，包含一基底、一鳍片在该基底上以及一栅极结构接合该鳍片；执行一第一布植制程，以将一掺质布植至邻近该栅极结构的该鳍片中；形成数个栅极侧壁间隔物于该栅极结构的侧壁上及鳍片侧壁间隔物于该鳍片的侧壁上；执行一第一蚀刻制程，以凹蚀邻近所述栅极侧壁间隔物的该鳍片，且保留该鳍片的至少一部分于所述鳍片侧壁间隔物上；在该第一蚀刻制程之后，执行一第二布植制程，以将该掺质布植至该鳍片及所述鳍片侧壁间隔物中；在该第二布植制程之后，执行一第二蚀刻制程，以凹蚀邻近所述栅极侧壁间隔物的该鳍片，直到该鳍片的一顶面在所述鳍片侧壁间隔物的一顶面之下，在所述鳍片侧壁间隔物之间产生一沟槽；以及外延成长一半导体材料于该沟槽中。