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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910146438.3有效
发明人：深沢正永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法可包括：在具有第一导电层和第二导电层的基板的主面侧形成大直径抗蚀剂图形；基于将大直径抗蚀剂图形用作掩模的蚀刻以在基板中形成大直径凹部，第一导电层在大直径凹部的底部露出；在基板的主面侧形成小直径抗蚀剂图形；并且基于将小直径抗蚀剂图形用作掩模的蚀刻以在基板中形成小直径凹部，其中，在形成所述大直径抗蚀剂图形前，将小直径抗蚀剂图形用作掩模而将所述基板蚀刻至不会露出所述第二导电层的深度；并且然后，通过将大直径抗蚀剂图形用作掩模以进行蚀刻以形成所述大直径凹部，以使得第一导电层在所述大直径凹部中露出，并且同时形成所述小直径凹部以使得所述第二导电层在所述小直径凹部中露出。
半导体装置制造方法

[发明专利]元件基板的制造方法-CN201510535655.3有效
发明人：吉冈利文;中窪亨;渡边信一郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：提供一种元件基板(1)的制造方法，该方法包括在基板(14)的预定表面上以使预定表面的一部分露出的方式形成第一抗蚀层(15)和第二抗蚀层(16)；在第一抗蚀层(15)和第二抗蚀层(16)被用作掩模的情况下对基板(14)进行蚀刻，以在基板(14)中形成第一凹部(17)；去除第二抗蚀层(16)，以露出基板(14)的与第一凹部(17)不同的部分；在第一抗蚀层(15)被用作掩模的情况下对基板(14)进行蚀刻，以加深第一凹部(17)并且在基板(14)中形成与第一凹部(17)连通的第二凹部(18)；以及用喷出口形成构件(11)覆盖第一凹部(17)的开口和第二凹部(18)的开口，以通过第一凹部(17)和喷出口形成构件(11)形成压力室(3)并且通过第二凹部(18)和喷出口形成构件(11)形成流量减小部(6)。
元件制造方法

[发明专利]一种线路板正凹蚀制作方法-CN201810246860.1在审
发明人：孙保玉;宋建远;张国城;黄宏波 -专利权人：深圳崇达多层线路板有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明涉及线路板生产技术领域，具体为一种线路板正凹蚀制作方法。本发明在线路板上制作正凹蚀树脂塞孔的方法不仅克服了高锰酸钾除胶法时对孔壁绝缘部分的整体咬蚀速率较慢，凹蚀性能不明显的缺点，还克服了等离子除胶法易造成折镀和电镀空洞的问题。
凹蚀除胶高锰酸钾制作线路板生产树脂塞孔线路板等离子电镀对孔绝缘空洞

[发明专利]半导体光元件的制造方法-CN200910126180.7无效
发明人：楠政谕;冈贵郁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：该方法包括如下步骤：以抗蚀剂作为掩模对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊；在残留有抗蚀剂的状态下，在波导脊和凹部上形成绝缘膜；利用形成在抗蚀剂上的绝缘膜和形成在凹部上的绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在抗蚀剂上的绝缘膜使抗蚀剂露出，但同时保留形成在凹部上的绝缘膜；除去露出的抗蚀剂；除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极。
半导体元件制造方法

[发明专利]连续镀覆用图案形成滚筒及其制造方法-CN201480001006.9有效
发明人：重田龙男 -专利权人：株式会社新克
申请日： 2014-02-05 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：在能镀覆的圆筒状金属基材的表面涂敷光致抗蚀剂，使其曝光、显影来形成抗蚀剂图案部和非抗蚀剂图案部，对上述非抗蚀剂图案部的上述圆筒状金属基材进行蚀刻来形成蚀刻凹部，在上述蚀刻凹部以及抗蚀剂图案部的表面形成DLC被覆膜，按每个上述抗蚀剂图案部来剥离形成在上述抗蚀剂图案部上的DLC被覆膜，并使上述DLC被覆膜残留于上述蚀刻凹部内，由此形成该连续镀覆用图案形成滚筒。
连续镀覆图案形成滚筒及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210480569.7在审
发明人：王志庆;陈文园;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：凹蚀鳍片结构以形成源极/漏极沟槽；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第一介电层；在源极/漏极沟槽的底表面下方的鳍片结构的部分之中布植掺质元素，以形成非结晶半导体层；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第二介电层在退火以及去除的步骤之后，进一步凹蚀凹蚀的鳍片结构以提供顶表面。从顶表面以及在顶表面上形成外延层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201310393590.4在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：首先，衬底上形成栅极结构；然后，刻蚀所述栅极结构两侧的衬底区域，形成凹蚀区域，并在所述凹蚀区域表面进行离子注入，以使所述凹蚀区域表面非晶化；再沉积应力层；接着进行退火，使非晶化的凹蚀区域表面再结晶以产生应力，该应力与所述应力层的应力相叠加并传递至所述沟道区域且保留在其中；最后去除所述应力层，并在所述栅极结构两侧的凹蚀区域中分别形成源极和漏极。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种超声速凹腔燃烧室的点火结构及超燃冲压发动机-CN202011296977.4有效
发明人：蔡尊;朱家健;孙明波;田轶夫;冯戎 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： F23Q13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超声速凹腔燃烧室的点火结构及超燃冲压发动机。所述点火结构包括：设有凹腔的燃烧室，碳氢燃料随所述凹腔燃烧室上方的超声速气流能够进入到所述凹腔中，所述凹腔的底壁设有烧蚀腔；以及激光器，用于发射激光，所述激光器发射的激光能够聚焦于所述烧蚀腔的腔壁上并诱发等离子体，以形成初始火焰，所述初始火焰用于起到点火作用；其中，所述激光器发射的激光聚焦于所述烧蚀腔的腔壁时，所述烧蚀腔的腔壁受到所述激光照射的面积为第一面积；若所述激光器发射的激光直接聚焦于所述凹腔的底壁，所述凹腔的底壁受到所述激光照射的区域的面积为第二面积
一种超声速燃烧室点火结构冲压发动机

[实用新型]一种广告灯透镜-CN201120244215.X有效
发明人：洪作财;陈明允 -专利权人：东莞巨扬电器有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： F21V5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种广告灯透镜，包括镜片基体，镜片基体的顶面设置有至少一凸出在镜片基体之上的聚光镜体，聚光镜体的外表面设置有内凹或凸起的蚀纹，本实用新型在透镜的外表面设置有内凹或凸起的蚀纹，增加透镜的聚光性能，灯光通过透镜时经过内凹或凸起的蚀纹的折射，使通过透镜的灯光更加聚集，聚光性更好，透光率高，而且通过透镜的灯光经过蚀纹的折射后更加均匀，通过透镜照射出来的灯光集中而不刺眼。
一种广告透镜

[实用新型]一种广告灯透镜-CN201120244195.6有效
发明人：洪作财;陈明允 -专利权人：东莞巨扬电器有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： F21V5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种广告灯透镜，包括镜片基体，镜片基体的顶面设置有至少一凸出在镜片基体之上的聚光镜体，聚光镜体的内表面设置有内凹或凸起的蚀纹，本实用新型在透镜的内表面设置有内凹或凸起的蚀纹，增加透镜的聚光性能，灯光通过透镜时经过内凹或凸起的蚀纹的折射，使通过透镜的灯光更加聚集，聚光性更好，透光率高，而且通过透镜的灯光经过蚀纹的折射后更加均匀，通过透镜照射出来的灯光集中而不刺眼。
一种广告透镜

[发明专利]一种激光烧蚀过程中等离子体吸收率的测量方法-CN201510608854.2有效
发明人：符永宏;刘强宪;叶云霞;康正阳;纪敬虎;华希俊 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光烧蚀过程中等离子体吸收率的测量方法，将等离子体吸收率的测量转化为对激光烧蚀所得微凹腔形貌尺寸的测量。首先，在平整光洁的靶材表面，采用特定脉冲激光，加工一系列微凹腔，在加工过程中均匀变化激光能量密度；随后，通过三维形貌仪测得微凹腔的直径和深度，通过直径‑激光能量密度曲线求得激光烧蚀阈值Fth；然后结合微凹腔深度，由理论计算得到表层材料有效系数α，进而得到激光烧蚀过程中等离子体吸收率b；本方法易于操作，测得结果稳定可靠，适用范围广泛。
一种激光过程等离子体吸收率测量方法

[发明专利]制作用于制造光盘的母盘的方法和制造光盘的方法-CN200380100300.7无效
发明人：甲斐慎一;河内山彰;荒谷胜久;中川谦三;竹本祯广 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：一种制作用于制造光盘的压模的方法包括：曝光步骤，用以与光盘上/中形成的信息凹出/凸入图案的信息信号对应的信息信号调制的记录激光束照射衬底(100)上形成的有机抗蚀层(101)，以形成与光盘上的信息凹出/凸入图案对应的曝光图案，和显影步骤，显影有机抗蚀层以形成与该有机抗蚀层的凹出/凸入图案对应的曝光图案。在曝光步骤中，将估计激光束施加到该有机抗蚀层上预定区域，利用该估计激光束的反射光来估计该有机抗蚀层的曝光图案的记录信号特性，并根据估计结果来控制该记录激光束的功率。从而将信息可靠地记录在目标光盘上。
制作用于制造光盘母盘方法

[实用新型]正凹蚀线路板-CN201320822041.X有效
发明人：林楚涛;宫立军 -专利权人：广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种正凹蚀线路板，包括至少两层芯板介质层，两层芯板介质层之间通过粘结层连接，所述芯板介质层包括至少一层第一玻纤布，所述第一玻纤布的厚度为30μm～60μm，所述第一玻纤布的正面与反面均覆有已固化的树脂层所述正凹蚀线路板，通过采用厚度为30μm～60μm第一玻纤布，减小了钻刀对印制线路板内的玻纤束产生切削拉力，从而避免玻纤布与树脂层分离而出现细微裂缝，降低正凹蚀线路板的芯吸长度。
正凹蚀线路板

[实用新型]一种广告灯透镜-CN201120244246.5有效
发明人：洪作财;陈明允 -专利权人：东莞巨扬电器有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： F21V5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种广告灯透镜，包括镜片基体，镜片基体的顶面设置有至少一凸出在镜片基体之上的聚光镜体，聚光镜体的内表面和外表面分别设置有内凹或凸起的蚀纹，本实用新型在透镜的内表面和外表面分别设置有内凹或凸起的蚀纹，增加透镜的聚光性能，灯光通过透镜时经过内凹或凸起的蚀纹的折射，使通过透镜的灯光更加聚集，聚光性更好，透光率高，而且通过透镜的灯光经过蚀纹的折射后更加均匀，通过透镜照射出来的灯光集中而不刺眼。
一种广告透镜

[发明专利]形成电镀图案的方法和制造薄膜磁头的方法-CN200510102517.2无效
发明人：三宅裕子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：该形成电镀图案的方法能够确保进行了亲水性处理的抗蚀剂图案变窄和微型化，而不使该抗蚀剂图案变宽和变形。该方法包括以下步骤：使用抗蚀剂覆盖电镀晶种层的表面；对该抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有凹入部分的抗蚀剂图案；对该抗蚀剂图案进行亲水性处理；通过电镀在该抗蚀剂图案的凹入部分中淀积金属；去除该抗蚀剂图案；
形成电镀图案方法制造薄膜磁头

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