[发明专利]一种单层和双层可逆调控的氧化铈单晶纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810878920.1 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110791809B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;张毅;包信和 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64;C30B23/00;C30B33/02;C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;李馨 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种单层和双层可逆调控的氧化铈单晶纳米结构的制备方法，包括：1)提供一个单晶Pt(111)衬底；2)提供铈(Ce)蒸发源，并在干净的Pt(111)衬底上生长0.3～1单层当量的氧化铈；3)在一氧化碳气氛中将任意0.3～1单层当量氧化铈退火到300～700℃，以获得还原的单层氧化铈；4)在氧气气氛中对还原的单层氧化铈退火到200～500℃，退火时间控制在15分钟以内，以获得氧化的单层氧化铈；5)在氧气气氛中对(3)或(4)中制备的单层氧化铈退火到500～600℃,退火时间控制在15分钟及以上，以获得双层氧化铈。该制备方法可以在同一个CeO |
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| 搜索关键词： | 一种 单层 双层 可逆 调控 氧化 铈单晶 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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