[发明专利]一种单层和双层可逆调控的氧化铈单晶纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810878920.1 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110791809B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;张毅;包信和 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64;C30B23/00;C30B33/02;C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;李馨 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单层 双层 可逆 调控 氧化 铈单晶 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法，所述铂为Pt(111)单晶，氧化铈沉积于Pt(111)单晶表面，所述氧化铈单晶为单层或双层，其特征在于：具有还原的单层氧化铈的铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法包括如下步骤：
(1)提供一个原子级干净平整的单晶Pt(111)衬底；
(2)将经步骤(1)处理的Pt(111)衬底维持在-200～400℃，并在氧气气氛中经Ce蒸发源将Ce沉积到Pt(111)单晶表面；
(3)在一氧化碳气氛中对任意0.3～1单层当量CeO2进行退火，退火温度为300～700℃。
2.一种铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法，所述铂为Pt(111)单晶，氧化铈沉积于Pt(111)单晶表面，所述氧化铈单晶为单层或双层，其特征在于：具有氧化的单层氧化铈的铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法包括如下步骤：
(1)提供一个原子级干净平整的单晶Pt(111)衬底；
(2)将经步骤(1)处理的Pt(111)衬底维持在-200～400℃，并在氧气气氛中经Ce蒸发源将Ce沉积到Pt(111)单晶表面；
(3)在一氧化碳气氛中对任意0.3～1单层当量CeO2进行退火，退火温度为300～700℃；
(4)在氧气气氛中对步骤(3)制得的纳米催化剂样品退火到200～500℃，退火时间控制在15分钟以内。
3.一种铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法，所述铂为Pt(111)单晶，氧化铈沉积于Pt(111)单晶表面，所述氧化铈单晶为单层或双层，其特征在于：具有氧化的双层氧化铈的铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法包括如下步骤：
(1)提供一个原子级干净平整的单晶Pt(111)衬底；
(2)将经步骤(1)处理的Pt(111)衬底维持在-200～400℃，并在氧气气氛中经Ce蒸发源将Ce沉积到Pt(111)单晶表面；
(3)在一氧化碳气氛中对任意0.3～1单层当量CeO2进行退火，退火温度为300～700℃；
(4)在氧气气氛中对步骤(3)制得的纳米催化剂样品退火到200～500℃，退火时间控制在15分钟以内；
(5)在氧气气氛中对步骤(4)制得的纳米催化剂样品退火到500～600℃，退火时间控制在15分钟及以上。
4.一种铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法，所述铂为Pt(111)单晶，氧化铈沉积于Pt(111)单晶表面，所述氧化铈单晶为单层或双层，其特征在于：具有氧化的双层氧化铈的铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法包括如下步骤：
(1)提供一个原子级干净平整的单晶Pt(111)衬底；
(2)将经步骤(1)处理的Pt(111)衬底维持在-200～400℃，并在氧气气氛中经Ce蒸发源将Ce沉积到Pt(111)单晶表面；
(3)在一氧化碳气氛中对任意0.3～1单层当量CeO2进行退火，退火温度为300～700℃；
(4)在氧气气氛中对步骤(3)制得的纳米催化剂样品退火到500～600℃，退火时间控制在15分钟及以上。
5.根据权利要求3或4所述的铂-氧化铈纳米催化剂的制备方法，双层氧化铈转换为单层氧化铈的方法为：
(a)在一氧化碳气氛中对具有氧化的双层氧化铈的铂-氧化铈纳米催化剂进行退火，退火温度为300～700℃；
(b)在氧气气氛中对经步骤(a)处理的纳米催化剂退火到200～500℃，退火时间控制在15分钟以内，得具有氧化的单层氧化铈的铂-氧化铈纳米催化剂。
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