[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810846136.2 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109935256B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 泉达雄;小宫怜子 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够使存储的数据的可靠性提升的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含隔着绝缘体而积层的多个导电体及柱。柱通过多个导电体，且包含第1及第2柱状部、及接合部。第1柱状部所通过的多个导电体中，距接合部最近的导电体与其他任一个导电体分别作为第1虚设字线(LDWL)及第1字线(WL)(LMH)发挥功能。第2柱状部所通过的多个导电体中，距接合部最近的导电体与其他任一个导电体分别作为第2虚设字线(UDWL)及第2字线(WL)(UMH)发挥功能。在选择了第2字线的写入动作中的预充电动作中，对第2虚设字线及第2字线分别施加第1电压，对第1字线施加比第1电压低的第2电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：多个导电体，隔着绝缘体而积层；柱，通过所述多个导电体，包含第1柱状部、所述第1柱状部的上方的第2柱状部、以及所述第1柱状部及所述第2柱状部间的接合部，且与所述多个导电体的交叉部分分别作为晶体管发挥功能；及控制器，执行写入动作；所述第1柱状部所通过的所述多个导电体中，距所述接合部最近的导电体与其他任一个导电体分别作为第1虚设字线、及第1字线发挥功能，所述第2柱状部所通过的所述多个导电体中，距所述接合部最近的导电体与其他任一个导电体分别作为第2虚设字线、及第2字线发挥功能，所述控制器是在所述写入动作中，执行包括包含预充电动作的编程动作的编程循环，在选择了所述第1字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第1字线、所述第1虚设字线、所述第2虚设字线、及所述第2字线分别施加比接地电压高的第1电压，在选择了所述第2字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第1字线施加比所述第1电压低的第2电压，对所述第2虚设字线及所述第2字线分别施加所述第1电压。
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