[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

多个导电体，隔着绝缘体而积层；

柱，通过所述多个导电体，包含第1柱状部、所述第1柱状部的上方的第2柱状部、以及所述第1柱状部及所述第2柱状部间的接合部，且与所述多个导电体的交叉部分分别作为晶体管发挥功能；及

控制器，执行写入动作；

所述第1柱状部所通过的所述多个导电体中，距所述接合部最近的导电体与其他任一个导电体分别作为第1虚设字线、及第1字线发挥功能，

所述第2柱状部所通过的所述多个导电体中，距所述接合部最近的导电体与其他任一个导电体分别作为第2虚设字线、及第2字线发挥功能，

所述控制器是

在所述写入动作中，执行包括包含预充电动作的编程动作的编程循环，

在选择了所述第1字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第1字线、所述第1虚设字线、所述第2虚设字线、及所述第2字线分别施加比接地电压高的第1电压，

在选择了所述第2字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第1字线施加比所述第1电压低的第2电压，对所述第2虚设字线及所述第2字线分别施加所述第1电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制器在选择了所述第2字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第1虚设字线施加所述第1电压。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中设置在作为所述第2虚设字线发挥功能的所述导电体与作为所述第2字线发挥功能的所述导电体之间的所述导电体中，任一个导电体作为第3字线发挥功能，且

所述控制器在选择了所述第2字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第3字线施加比所述第1电压高的第3电压。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第1柱状部所通过的所述多个导电体中，与作为所述第1字线发挥功能的所述导电体相比距离所述接合部更远的导电体中，任一个导电体作为第4字线发挥功能，且

所述控制器在选择了所述第1字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第4字线施加所述第2电压。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第2柱状部所通过的所述多个导电体中，与作为所述第2字线发挥功能的所述导电体相比距离所述接合部更远的导电体中，任一个导电体作为第5字线发挥功能，且

所述控制器在选择了所述第2字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第5字线施加所述第1电压。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第1柱状部所通过的所述多个导电体中，与作为所述第1字线发挥功能的所述导电体相比距离所述接合部更近的导电体中，任一个导电体作为第6字线发挥功能，且

所述控制器在选择了所述第1字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第6字线施加所述第1电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制器在选择了所述第2字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第1虚设字线施加所述第2电压。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中设置在作为所述第2虚设字线发挥功能的所述导电体与作为所述第2字线发挥功能的所述导电体之间的所述导电体中，任一个导电体作为第3字线发挥功能，且

所述控制器在选择了所述2字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第3字线施加比所述第1电压高的第3电压。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述第1柱状部所通过的所述多个导电体中，与作为所述第1字线发挥功能的所述导电体相比距离所述接合部更远的导电体中，任一个导电体作为第4字线发挥功能，且

所述控制器在选择了所述第1字线的所述写入动作中的所述预充电动作中，对所述第4字线施加所述第2电压。