[发明专利]一种三维计算机闪存设备及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810844424.4 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109037228B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 唐兆云;霍宗亮 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/1158
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 姚璐华;王宝筠
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种三维计算机闪存设备及其制作方法,本发明技术方案中,将衬底上方的栅极结构分为两部分,第一部分栅极结构直接通过先金属栅工艺制备,第二部分栅极结构通过后金属栅工艺制备,相对于传统的完全采用先金属栅工艺或是完全采用后金属栅工艺,大大降低了工艺难度。
搜索关键词: 一种 三维 计算机 闪存 设备 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种三维计算机闪存设备的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:提供一衬底;在所述衬底上沉积至少一层第一金属栅极层;基于所述第一金属栅极层形成第一部分栅极结构;在所述第一部分栅极结构表面形成阻挡层;在所述阻挡层表面形成至少一层假栅层;基于所述假栅层形成第二部分栅极结构,所述第二部分栅极结构包括至少一层第二金属栅极层。
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