[发明专利]基板清洗液、其制备方法以及集成电路基板的清洗方法在审
| 申请号： | 201810841056.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108695140A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘金章;杨欣泽 | 申请（专利权）人： | 北京蜃景光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C11D7/50;C11D7/32;C11D7/30;C11D7/28;C11D7/26;C11D7/12;C11D7/60 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 黄彩荣 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路基板的生产领域，提供了一种基板清洗液、其制备方法以及集成电路基板的清洗方法。该基板清洗液的组分按重量份数计包括超临界二氧化碳溶剂20‑30份、氢氟醇5‑8份、乙酸乙酯5‑8份、三氯乙烯5‑8份、去离子水30‑40份、乙二醇单乙醚10‑12份、N‑甲基吡咯烷酮10‑15份、碳酸氢钠10‑15份。该基板清洗液对集成电路基板的清洗效果佳，基板清洗液易于去除，并且对集成电路基板无损伤。其制备方法简单，获得的基板清洗液能够对基板进行很好的清洁。此外，集成电路基板的清洗方法，其包括将基板置于上述基板清洗液中进行清洗。清洗效果佳，集成电路基板的性能佳。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路基板 基板 清洗液 清洗 制备 清洗效果 超临界二氧化碳 甲基吡咯烷酮 乙二醇单乙醚 去离子水 三氯乙烯 碳酸氢钠 乙酸乙酯 对基板 无损伤 重量份 溶剂 氢氟 去除 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种基板清洗液，其特征在于，其组分按重量份数计包括超临界二氧化碳溶剂20‑30份、氢氟醇5‑8份、乙酸乙酯5‑8份、三氯乙烯5‑8份、去离子水30‑40份、乙二醇单乙醚10‑12份、N‑甲基吡咯烷酮10‑15份以及碳酸氢钠10‑15份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
