[发明专利]一种深紫外LED结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810835420.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807634A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王巧;陈志涛;王君君;张康;刘宁炀;曾巧玉;黄玉婷 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁斌 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种深紫外LED结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该深紫外LED结构包括第一衬底、模板层、缓冲层、N型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化物层以及多个透明导电层，第一衬底、模板层、缓冲层、N型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化物层以及多个透明导电层逐层面连接，其中，多个透明导电层至少包括掺金属或半导体元素的Ga2O3层。本发明提出的深紫外LED结构及其制作方法具有提升深紫外LED结构发光效率及实用性更强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 透明导电层 电子阻挡层 多量子阱层 缓冲层 模板层 衬底 制作 半导体技术领域 半导体元素 发光效率 金属 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外LED结构，其特征在于，所述深紫外LED结构包括第一衬底、模板层、缓冲层、N型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化物层以及多个透明导电层，所述第一衬底、所述模板层、所述缓冲层、所述N型氮化物层、所述多量子阱层、所述电子阻挡层、所述P型氮化物层以及所述多个透明导电层逐层面连接，其中，所述多个透明导电层至少包括掺金属或半导体元素的Ga2O3层。
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