[发明专利]一种深紫外LED结构及其制作方法

权利要求书

1.一种深紫外LED结构，其特征在于，所述深紫外LED结构包括第一衬底、模板层、缓冲层、N型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化物层以及多个透明导电层，所述第一衬底、所述模板层、所述缓冲层、所述N型氮化物层、所述多量子阱层、所述电子阻挡层、所述P型氮化物层以及所述多个透明导电层逐层面连接，其中，所述多个透明导电层至少包括掺金属或半导体元素的Ga₂O₃层。

2.如权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述多个透明导电层包括第一掺铜Ga₂O₃层、单质铜层以及第二掺铜Ga₂O₃层，所述P型氮化物层、所述第一掺铜Ga₂O₃层、所述单质铜层以及第二掺铜Ga₂O₃层依次面连接。

3.如权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述多个透明导电层包括第一掺锌Ga₂O₃层、单质铜层以及第二掺锌Ga₂O₃层，所述P型氮化物层、所述第一掺铜Ga₂O₃层、所述单质铜层以及第二掺铜Ga₂O₃层依次面连接。

4.如权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述深紫外LED结构还包括N电极与P电极，所述N电极与所述N型氮化物层的远离所述缓冲层的一面连接，所述P电极与所述多个透明导电层的远离所述P型氮化物层的一面连接。

5.如权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述深紫外LED结构还包括N电极、P电极、第二衬底以及背金层，所述P电极、所述第二衬底以及所述背金层逐层面连接，所述P电极的远离所述第二衬底的一面与所述透明导电层面连接，所述N电极与所述N型氮化物层的远离所述缓冲层的一面连接。

6.如权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述深紫外LED结构还包括N电极、P电极、基板以及凸点，所述N电极与所述N型氮化物层的远离所述缓冲层的一面连接，所述P电极与所述透明导电层的远离所述P型氮化物层的一面连接，所述凸点位于所述P电极与所述基板、及所述N电极与所述基板之间。

7.如权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述P型氮化物层包括P型GaN层与P型AlGaN层，所述电子阻挡层、所述P型AlGaN层、所述P型GaN层以及所述透明导电层逐层面连接。

8.如权利要求7所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度包括25nm，所述P型AlGaN层的厚度包括75nm，所述P型GaN层的厚度包括20nm。

9.一种深紫外LED结构制作方法，其特征在于，所述深紫外LED结构制作方法包括：

在衬底上依次外延生长模板层、缓冲层、N型氮化物层以及多量子阱层；

在所述多量子阱层上依次生长电子阻挡层与P型氮化物层；

在所述P型氮化物层上生长多个透明导电层；

利用正装芯片加工工艺或垂直芯片加工工艺或倒装芯片加工工艺制作P电极与N电极。

10.如权利要求9所述的深紫外LED结构制作方法，其特征在于，所述在所述P型氮化物层上生长多个透明导电层的步骤包括：

利用磁控溅射设备在所述P型氮化物层上溅射铜与Ga2O3，以形成第一掺锌Ga₂O₃层；

在所述第一掺锌Ga₂O₃层上溅射铜，以形成单质铜层；

在所述单质铜层上溅射铜与Ga2O3，以形成第二掺锌Ga₂O₃层。