[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号： | 201810791156.4 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109273572B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 尹柱宪;沈载仁;金起范;孙夏英;辛榕燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;赵南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；反射电极层，其覆盖所述第二半导体层的上表面；以及透明覆盖层，其位于所述反射电极层上，覆盖所述第二半导体层的上表面，其中，所述透明覆盖层包括具有第一部分和第二部分的尾部，所述第一部分覆盖所述反射电极层的边缘并且具有凸上表面，所述第二部分比所述第一部分更薄并且从所述第一部分延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810791156.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
