[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201810790101.1 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110379855A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 戴荣吉;金志昀;林衍廷;李彦儒;郑培仁;李启弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一实施例为半导体结构。半导体结构包含鳍状物于基板上。栅极结构位于鳍状物上。一源极/漏极位于鳍状物中并与栅极结构相邻。源极/漏极包括底层；支援层，位于底层上；以及顶层，位于支援层上。支援层的特性不同于底层与顶层的特性，且特性是材料、自然晶格常数、杂质浓度、和/或合金％含量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 鳍状物 源极/漏极 栅极结构 顶层 支援 自然晶格常数 基板 合金 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一鳍状物，位于一基板上；一栅极结构，位于该鳍状物上；以及一源极/漏极，位于该鳍状物中并与该栅极结构相邻，且该源极/漏极包括：一底层；一支援层，位于该底层上；以及一顶层，位于该支援层上，其中该支援层的一特性不同于该底层与该顶层的该特性，且该特性是材料、自然晶格常数、杂质浓度、或合金％含量。
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