[发明专利]半导体结构

说明书

一实施例为半导体结构。半导体结构包含鳍状物于基板上。栅极结构位于鳍状物上。一源极/漏极位于鳍状物中并与栅极结构相邻。源极/漏极包括底层；支援层，位于底层上；以及顶层，位于支援层上。支援层的特性不同于底层与顶层的特性，且特性是材料、自然晶格常数、杂质浓度、和/或合金％含量。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结够，更特别涉及形成一或多个支援层于鳍状场效应晶体管装置的鳍状物上的源极/漏极中。

背景技术

随着半导体产业进展至纳米技术工艺节点以求更高装置密度、更高效能、与更低成本时，其面临制作与设计问题的挑战，导致三维设计如鳍状场效应晶体管的发展。鳍状场效应晶体管装置通常包含高宽比高的半导体鳍状物，其中形成有通道与源极/漏极区。栅极形成于鳍状结构上，并沿着鳍状结构的侧部(如包覆鳍状结构)，其增加通道表面积的优点在于并产生更快、更可信、且更易控制的半导体晶体管结构。然而尺寸缩小产生新的挑战。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体结构包括：鳍状物，位于基板上；栅极结构，位于鳍状物上；以及源极/漏极，位于鳍状物中并与栅极结构相邻，且源极/漏极包括：底层；支援层，位于底层上；以及顶层，位于支援层上，其中支援层的特性不同于底层与顶层的该特性，且特性是材料、自然晶格常数、杂质浓度、或合金％含量。

附图说明

图1是一些实施例中，简化的鳍状场效应晶体管的三维图。

图2是一些实施例中，形成半导体装置如鳍状场效应晶体管结构于基板上的方法的流程图。

图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、与图9B是一些实施例中，半导体装置于形成半导体装置的中间阶段的个别中间结构的剖视图。

图10示出的是一些实施例中，未合并的源极/漏极。

图11示出的是一些实施例中，部份合并的源极/漏极。

图12示出的是一些实施例中，源极/漏极中的支援层。

附图标记说明：

A-A、B-B：剖面

10：方法

12、14、16、18、20、22：步骤

30：半导体装置

40：鳍状场效应晶体管

44、78：隔离区

46A、46B、74：鳍状物

50A、50B：栅极

54A、54B、54C、54D、54E、54F：源极/漏极

60：半导体基板

62：n型阱

64：外延层

74：鳍状物

74P：间距

80：介电层

82：虚置栅极层

84：掩模

85：虚置栅极结构

86：栅极间隔物

90：凹陷

92B：底层

92I：中间层

92S：支援层

92S-1：第一支援层