[发明专利]一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法在审
| 申请号： | 201810789219.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109208069A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈德杨;邓雄;陈超;孙菲;高兴森 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/22;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法，通过在BFO和基片之间插入一层外延生长的单晶薄膜作为应变的提供者，该单晶薄膜与BFO薄膜的晶格失配度范围为‑4％～‑6％，满足诱导BFO由R相转变为T相的必要条件，从而突破了对于基片的限制，在与BFO晶格失配度较小的基片上也能实现BFO的R‑T相变。 | ||
| 搜索关键词： | 诱导 晶格失配度 铁酸铋薄膜 单晶薄膜 外延生长 薄膜 必要条件 | ||
【主权项】：
1.一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在基片上制备一层单晶薄膜；所述单晶薄膜与铁酸铋薄膜的晶格失配度范围为‑4％～‑6％；S2：在所述单晶薄膜上制备铁酸铋薄膜。
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