[发明专利]一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法在审
| 申请号： | 201810789219.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109208069A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈德杨;邓雄;陈超;孙菲;高兴森 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/22;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 诱导 晶格失配度 铁酸铋薄膜 单晶薄膜 外延生长 薄膜 必要条件 | ||
1.一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：在基片上制备一层单晶薄膜；所述单晶薄膜与铁酸铋薄膜的晶格失配度范围为-4％～-6％；
S2：在所述单晶薄膜上制备铁酸铋薄膜。
2.根据权利要求1所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：所述单晶薄膜为Ce0.04Ca0.96MnO3薄膜。
3.根据权利要求2所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：所述基片为钛酸锶基片或铝酸锶钽镧基片。
4.根据权利要求2或3所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：所述Ce0.04Ca0.96MnO3薄膜的厚度为5～100nm。
5.根据权利要求4所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：所述铁酸铋薄膜的厚度为5～200nm。
6.根据权利要求5所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：所述Ce0.04Ca0.96MnO3薄膜的厚度为30～100nm；所述铁酸铋薄膜的厚度为5～20nm。
7.根据权利要求5所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：所述Ce0.04Ca0.96MnO3薄膜的厚度为5～30nm；所述铁酸铋薄膜的厚度为20～100nm。
8.根据权利要求2所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：采用脉冲激光沉积法制备Ce0.04Ca0.96MnO3薄膜，工艺参数如下：生长温度为650～680℃，能量密度为45～60mJ，脉冲频率为4～8Hz，生长气氛为13～20Pa的纯氧。
9.根据权利要求8所述的诱导铁酸铋薄膜相变的方法，其特征在于：采用脉冲激光沉积法制备铁酸铋薄膜，工艺参数如下：生长温度为650～700℃，能量密度为45～60mJ，脉冲频率为4～8Hz，生长气氛为14～16Pa的纯氧。
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