[发明专利]一种半导体开关器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、N型漂移区、栅极结构及侧墙、N型源区、P型导电区、介质层及源区电极。所述P型导电区形成于所述N型源区的下部，所述介质层中形成有源区接触窗口，所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。本发明可以有效避免由于latchup路径电压过高而导致半导体开关器件的lachtup效应（闩锁效应）的产生。

主权项

1.一种半导体开关器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：/n1)提供一P型基底；/n2)于所述P型基底中形成N型阱区；/n3)于所述N型阱区中形成间隔排列的P型阱区及在P型阱区之间的N型漂移区；/n4)制作栅极结构，所述栅极结构包括间隔且横跨于所述N型阱区及P型阱区之间的第一栅单元及第二栅单元；/n5)以所述栅极结构为掩膜进行N型离子注入，以于所述P型阱区中形成N型源区；/n6)于所述栅极结构的侧面制作侧墙结构，然后以所述栅极结构及所述侧墙结构为掩膜进行P型离子注入，以于所述N型源区的下部形成P型导电区，所述P型导电区的宽度小于所述N型源区的宽度；/n7)于器件表面形成介质层，于所述介质层中形成源区接触窗口，所述源区接触窗口显露所述N型源区的中部区域，以所述介质层为掩膜，基于所述源区接触窗口进行P型离子注入，使得显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触区与所述P型导电区相连，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区；/n8)于所述源区接触窗口中填充导电材料以形成源区电极。/n