[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201810756123.6 申请日: 2018-07-11
公开(公告)号: CN109300842A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 杉谷哲一 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 庞东成;褚瑶杨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种晶片的加工方法,其能够增加芯片的取得数量。本发明的晶片的加工方法构成为实施激光束照射步骤在晶片(W)的内部形成沿着分割预定线(L)的改质层(S),并且使用于分割器件层(2)的裂纹(3)从改质层(S)延伸至晶片(W)的表面(Wa),因而能够不在晶片(W)的表面(Wa)侧形成切削槽,而利用在晶片(W)的内部产生的裂纹(3)分割成各器件层(2)。由此,无需较大地设定分割预定线(L)的宽度,能够增加芯片(C)的取得数量,芯片(C)的生产率提高。在实施激光束照射步骤后,利用切削刀具(61)从晶片(W)的背面(Wb)侧进行切削,形成切削槽(M),同时除去改质层(S),因而在芯片(C)中不会残留有改质层(S),芯片(C)的抗弯强度提高。
搜索关键词: 晶片 改质层 芯片 激光束照射步骤 分割预定线 切削槽 加工 分割器件 切削刀具 器件层 切削 抗弯 种晶 背面 残留 分割 延伸
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,所述晶片包含基板、以及在利用在该基板的表面交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有器件的器件层,该加工方法具备下述步骤:激光束照射步骤,在将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位在该基板的内部的状态下,沿着该分割预定线照射该激光束,形成沿着该分割预定线的改质层,并且使用于分割该器件层的裂纹从该改质层延伸到晶片的表面;切削步骤,在实施了该激光束照射步骤之后,利用切削刀具从晶片的背面沿着该分割预定线对晶片进行切削,形成切削槽,同时除去该改质层,所述切削槽在晶片的表面侧残留有包含该器件层的切削剩余部;涂布步骤,在实施了该切削步骤之后,在晶片的背面侧涂布液态芯片结合剂,以不在该切削槽中填充该液态芯片粘贴剂的状态在晶片的背面形成液态芯片结合层;以及固化步骤,在实施了该涂布步骤之后,使该液态芯片结合层固化。
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