[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201810756123.6 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN109300842A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 杉谷哲一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片的加工方法,其能够增加芯片的取得数量。本发明的晶片的加工方法构成为实施激光束照射步骤在晶片(W)的内部形成沿着分割预定线(L)的改质层(S),并且使用于分割器件层(2)的裂纹(3)从改质层(S)延伸至晶片(W)的表面(Wa),因而能够不在晶片(W)的表面(Wa)侧形成切削槽,而利用在晶片(W)的内部产生的裂纹(3)分割成各器件层(2)。由此,无需较大地设定分割预定线(L)的宽度,能够增加芯片(C)的取得数量,芯片(C)的生产率提高。在实施激光束照射步骤后,利用切削刀具(61)从晶片(W)的背面(Wb)侧进行切削,形成切削槽(M),同时除去改质层(S),因而在芯片(C)中不会残留有改质层(S),芯片(C)的抗弯强度提高。 | ||
搜索关键词: | 晶片 改质层 芯片 激光束照射步骤 分割预定线 切削槽 加工 分割器件 切削刀具 器件层 切削 抗弯 种晶 背面 残留 分割 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,所述晶片包含基板、以及在利用在该基板的表面交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有器件的器件层,该加工方法具备下述步骤:激光束照射步骤,在将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位在该基板的内部的状态下,沿着该分割预定线照射该激光束,形成沿着该分割预定线的改质层,并且使用于分割该器件层的裂纹从该改质层延伸到晶片的表面;切削步骤,在实施了该激光束照射步骤之后,利用切削刀具从晶片的背面沿着该分割预定线对晶片进行切削,形成切削槽,同时除去该改质层,所述切削槽在晶片的表面侧残留有包含该器件层的切削剩余部;涂布步骤,在实施了该切削步骤之后,在晶片的背面侧涂布液态芯片结合剂,以不在该切削槽中填充该液态芯片粘贴剂的状态在晶片的背面形成液态芯片结合层;以及固化步骤,在实施了该涂布步骤之后,使该液态芯片结合层固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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