[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201810756123.6 申请日: 2018-07-11
公开(公告)号: CN109300842A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 杉谷哲一 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 庞东成;褚瑶杨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 改质层 芯片 激光束照射步骤 分割预定线 切削槽 加工 分割器件 切削刀具 器件层 切削 抗弯 种晶 背面 残留 分割 延伸
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,所述晶片包含基板、以及在利用在该基板的表面交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有器件的器件层,该加工方法具备下述步骤:

激光束照射步骤,在将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位在该基板的内部的状态下,沿着该分割预定线照射该激光束,形成沿着该分割预定线的改质层,并且使用于分割该器件层的裂纹从该改质层延伸到晶片的表面;

切削步骤,在实施了该激光束照射步骤之后,利用切削刀具从晶片的背面沿着该分割预定线对晶片进行切削,形成切削槽,同时除去该改质层,所述切削槽在晶片的表面侧残留有包含该器件层的切削剩余部;

涂布步骤,在实施了该切削步骤之后,在晶片的背面侧涂布液态芯片结合剂,以不在该切削槽中填充该液态芯片粘贴剂的状态在晶片的背面形成液态芯片结合层;以及

固化步骤,在实施了该涂布步骤之后,使该液态芯片结合层固化。

2.如权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,在实施上述激光束照射步骤之前进一步具备薄化步骤,对晶片的背面进行磨削将其薄化至完工厚度。

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