[发明专利]一种半导体场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制备方法，该半导体场效应晶体管包括：衬底、漏极电极以及远离衬底的方向依次垂直置于衬底上方的n⁺型SiC、n^‑型SiC、P^‑型SiC以及n⁺型SiC；晶体管具有沉积有Si_xN_y‑SiO₂双层结构的倒梯形沟槽，该晶体管上还有栅极电极、源极接触电极。该晶体管采用半导体材料SiC制得，相比现有的Si、GaAs导体材料，其具有导通电阻低、击穿场强高、饱和电子漂移速度高的特点而使制得的半导体场效应晶体管具有开关损耗小、击穿电压大、电子漂移速率高的特点；同时该晶体管一改传统横向的器件结构而采用垂直的器件结构，避免了传统半导体场效应晶体管散热不佳的问题。

主权项

1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：衬底、衬底下方的漏极电极以及远离所述衬底的方向依次垂直置于所述衬底上方的n+型SiC、n‑型SiC、P‑型SiC以及n+型SiC；所述晶体管上方具有预设倾斜角度的倒梯形沟槽，所述倒梯形沟槽的窄底处于所述n‑型SiC所在的区域；所述倒梯形沟槽上沉积有SixNy‑SiO2双层结构，所述SixNy‑SiO2双层结构上具有栅极电极，所述晶体管上方且位于所述倒梯形沟槽宽底两侧的位置烧结有源极接触电极。