[发明专利]双面抛光外延片的制作方法、外延片及半导体器件在审
| 申请号： | 201810722386.5 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109003885A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 高璇;陈建纲 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强;倪嘉慧 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面抛光外延片的制作方法，包括：步骤一、制备衬底；步骤二、衬底掺杂选定；步骤三、衬底正反双面抛光；步骤四、衬底背面设置二氧化硅薄膜；步骤五、在1100℃～1120℃环境下，衬底的正面生长外延层；步骤六、去除衬底背面的二氧化硅薄膜。按照本发明技术方案生产的双面抛光外延片，外延片背面无任何刮伤和污染，为后道IC厂提供更好的外延片产品。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 衬底 双面抛光 二氧化硅薄膜 半导体器件 衬底背面 正反双面 外延层 抛光 刮伤 去除 制备 制作 背面 掺杂 生长 污染 生产 | ||
【主权项】：
1.一种双面抛光外延片的制作方法，其特征在于，包括：步骤一、制备衬底；步骤二、衬底掺杂选定；步骤三、衬底正反双面抛光；步骤四、衬底背面设置二氧化硅薄膜；步骤五、在1100℃～1120℃环境下，衬底的正面生长外延层；步骤六、去除衬底背面的二氧化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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