[发明专利]无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件在审
| 申请号： | 201810722375.7 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109003884A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 高璇;陈建纲 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强;倪嘉慧 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件，方法为在外延层生长过程中，将反应炉中温度设定为1170℃～1200℃，将其外延片本身由于原子间晶格不同导致的应力释放出来，外延片会由U型变成扁平状，外延片边缘会与承载盘贴合的更加紧密，氢气无法进入外延片背面边缘从而背面硅单晶点会减少。按照本发明技术方案生产的外延片，可以完全抑制外延片背面单晶硅点的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 背面 硅单晶 半导体器件 制备 单晶硅 背面边缘 生长过程 应力释放 氢气 扁平状 承载盘 反应炉 外延层 晶格 贴合 生长 生产 | ||
【主权项】：
1.一种无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，在外延层生长过程中，将反应炉中温度设定为1170℃～1200℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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