[发明专利]无背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件在审
| 申请号： | 201810722375.7 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109003884A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 高璇;陈建纲 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强;倪嘉慧 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延片 背面 硅单晶 半导体器件 制备 单晶硅 背面边缘 生长过程 应力释放 氢气 扁平状 承载盘 反应炉 外延层 晶格 贴合 生长 生产 | ||
1.一种无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，在外延层生长过程中，将反应炉中温度设定为1170℃～1200℃。
2.根据权利要求1所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延层生长前，首先在承载盘表面覆盖一层多晶硅。
3.根据权利要求2所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的多晶硅的厚度为0.5～1微米。
4.根据权利要求1所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延片的衬底为N型掺杂，超重掺。
5.根据权利要求4所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的衬底N型杂质原子为砷原子。
6.根据权利要求5所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的砷原子的掺杂浓度1.2×1019～2.2×1019cm3。
7.根据权利要求4、5或6所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的衬底为直拉单晶制造法制得。
8.根据权利要求7所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的衬底的背面设置一层二氧化硅背封，二氧化硅背封的厚度为
9.根据权利要求1所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延片的外延层为N型掺杂，重掺。
10.根据权利要求9所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的N型掺杂有磷、砷或锑中的至少一种元素。
11.根据权利要求10所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的N型掺杂原子为磷原子，磷原子的掺杂浓度5×1015～5.5×1015cm3。
12.根据权利要求9、10或11所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延层为化学气相沉积制得。
13.根据权利要求1所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的反应炉中温度设定为1180℃。
14.一种外延片，该外延片由权利要求1-13任一项所述的方法制得。
15.根据权利要求14所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延片的外延层的厚度为4～20微米。
16.根据权利要求15所述的无背面硅单晶的外延片的制备方法，其特征在于，所述的外延层的厚度为7.5微米。
17.一种半导体器件，包括权利要求14-16任一项所述的外延片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
