[发明专利]IGBT制作方法及IGBT有效
| 申请号： | 201810712335.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660667B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT制作方法及IGBT。其中，所述IGBT为平面型IGBT或沟槽型IGBT，所述IGBT制作方法包括：制作IGBT的正面结构，其中，包括在硅中掺杂第一离子以形成p+区，所述第一离子的扩散系数高于硼离子的扩散系数；制作IGBT的背面结构。本发明在制作p+区时，采用掺杂比硼离子扩散系数大的第一离子，如铝离子或镓离子，替代了现有技术中掺杂硼离子，能够在较低温度、较短时间内形成比扩散硼离子的方式更深、更宽、更渐变的PN结，使得制成的IGBT相比于现有的IGBT进一步提升了抗闩锁能力，具有更高的反向击穿电压和更短的存储时间，提高了IGBT的稳定性，并且具有一定的成本优势。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT制作方法，其特征在于，所述IGBT为平面型IGBT或沟槽型IGBT，所述IGBT制作方法包括：/n制作IGBT的正面结构，其中，包括在硅中掺杂第一离子以形成p+区，所述第一离子的扩散系数高于硼离子的扩散系数；/n制作IGBT的背面结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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