[发明专利]IGBT制作方法及IGBT有效
| 申请号： | 201810712335.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660667B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 制作方法 | ||
1.一种IGBT制作方法，其特征在于，所述IGBT为平面型IGBT或沟槽型IGBT，所述IGBT制作方法包括：
制作IGBT的正面结构，其中，包括在硅中掺杂第一离子以形成p+区，所述第一离子的扩散系数高于硼离子的扩散系数；
制作IGBT的背面结构；
所述在硅中掺杂第一离子的步骤实施于形成n+源区之后且在形成金属电极之前；
其中，对于所述平面型IGBT，所述p+区形成于所述平面型IGBT的p阱内，且位于所述平面型IGBT的n+源区的外侧；
对于所述沟槽型IGBT，所述p+区形成于所述沟槽型IGBT的p型基区内，且位于所述沟槽型IGBT的n+源区的外侧；
所述IGBT制作方法还包括：
在通过掺杂第一离子形成的所述p+区上覆盖一层硼。
2.如权利要求1所述的IGBT制作方法，其特征在于，掺杂第一离子包括扩散铝离子。
3.如权利要求2所述的IGBT制作方法，其特征在于，扩散铝离子的温度为1000℃-1300℃。
4.如权利要求3所述的IGBT制作方法，其特征在于，扩散铝离子的温度为1250℃。
5.如权利要求2-4中任一项所述的IGBT制作方法，其特征在于，扩散铝离子14小时，以使得铝离子的扩散深度达到250微米；或，扩散铝离子4小时，以使得铝离子的扩散深度达到25微米。
6.如权利要求1所述的IGBT制作方法，其特征在于，掺杂第一离子包括注入铝离子。
7.如权利要求1所述的IGBT制作方法，其特征在于，掺杂第一离子包括扩散镓离子。
8.如权利要求7所述的IGBT制作方法，其特征在于，扩散镓离子的温度为800℃-1200℃。
9.如权利要求8所述的IGBT制作方法，其特征在于，扩散镓离子的温度为1100℃。
10.如权利要求7-9中任一项所述的IGBT制作方法，其特征在于，扩散镓离子19小时，以使得镓离子的扩散深度达到60微米。
11.一种IGBT，其特征在于，所述IGBT为平面型IGBT或沟槽型IGBT，所述IGBT通过权利要求1-10中任意一项所述的IGBT制作方法制作而成。
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