[发明专利]自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构及工艺方法有效
| 申请号： | 201810696072.2 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108899368B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准锗硅HBT器件监控本征基区(发射区扩散后的锗硅基区)掺杂的测试结构，所述测试结构在长度方向上由两部分电阻串联而成：一部分由外基区高掺杂锗硅区电阻和未掺杂的锗硅外延区link电阻串联而成，另一部分为发射区扩散到基区后的pinch电阻；在宽度方向上也由两部分组成：在两侧有未掺杂的锗硅外延区link电阻，中间为所述串联电阻；这两个电阻并联。本发明可有效监控自对准锗硅HBT器件中本征基区的掺杂浓度，在研发过程中可以比较不同锗硅工艺菜单的P型浓度，以及发射极掺杂和热开销的影响，并和HBT器件的电测试结果比较来验证实验是否符合设计要求；在量产过程中，可以监控锗硅外延及发射极掺杂和热开销的工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 hbt 器件 监控 征基区 掺杂 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构，其特征在于：所述测试结构在长度方向上由两部分电阻串联而成：第一是由接触孔和外基区高掺杂区等形成的端头电阻，加上锗硅外延层link电阻，第二部分为发射区扩散到基区后的本征基区pinch电阻；在宽度方向上也由两部分组成：两侧为锗硅外延link电阻，中间为上述两部分组成的串联电阻。
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