[发明专利]自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构及工艺方法

权利要求书

1.一种自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构的工艺方法，其特征在于：

第一步，在外延层中形成场氧，外面形成锗硅单晶外延，淀积氧化硅-多晶硅-氧化硅的叠层；用发射极区窗口的反版，也就是牺牲发射极窗口层进行光刻及刻蚀，底部停留在下层的氧化硅上，在发射极窗口位置上述叠层保留而其它区域打开，再次淀积氧化硅，回刻形成侧墙，且保证多晶硅上表面保留有氧化硅；

第二步，去除有源区的氧化硅，然后生长单晶或者多晶硅，并通过离子注入形成高掺杂；

第三步，淀积氧化硅层，然后涂一层非保形的有机介质，在形貌较高位置介质较薄，在形貌较低位置则较厚，然后光刻打开由回刻保护层SC窗口对应的区域；

第四步，回刻回刻保护层SC窗口打开区域中形貌较高处的较薄的有机介质和氧化硅，同时回刻牺牲发射极窗口的多晶硅，回刻保护层SC窗口外的区域和较厚有机介质区域则没有被刻掉；

第五步，淀积氧化硅和氮化硅，干法回刻氮化硅停在氧化硅上，并形成侧墙；

第六步，湿法去除氧化硅，淀积HBT的发射极多晶硅，直接覆盖在整个芯片表面，包括第三步中回刻保护层SC窗口内的且形貌较高区域的锗硅单晶外延层上；

第七步，光刻和干法刻蚀发射极多晶硅，在发射区以外的发射极多晶硅和回刻保护层SC窗口内的锗硅外延层被同时刻蚀干净；

第八步，用HBT基区层光刻和干法刻蚀基极多晶硅，将结构周边的基极多晶硅去除。

2.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构的工艺方法，其特征在于：所述第一步中，氧化硅-多晶硅-氧化硅的叠层，厚度分别为150～300Å,1500～2500Å，350～800Å；再次淀积的用于制作侧墙的氧化硅厚度为200～350Å。

3.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构的工艺方法，其特征在于：所述第三步中，淀积的氧化硅层厚度为800～1200Å，回刻时，光刻版窗口在结构长度方向上要大于牺牲发射极窗口，在宽度方向上要小于牺牲发射极窗口。

4.如权利要求3所述的自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构的工艺方法，其特征在于：所述的光刻版窗口在宽度方向上比牺牲发射极窗口缩进0.4～0.6μm。

5.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构的工艺方法，其特征在于：所述第四步中，回刻有机介质和氧化硅，结构宽度方向两端的有机介质和氧化硅被去除；回刻多晶硅，结构宽度方向两端的多晶硅被去除。

6.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构的工艺方法，其特征在于：所述第五步中，再次淀积的氧化硅厚度为150～300 Å, 氮化硅的厚度为200～350Å，两者相加的总厚度为350～500 Å。

7.如权利要求1所述的自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构的工艺方法，其特征在于：所述第七步中，刻蚀发射极多晶硅，由于发射极多晶硅淀积在栅极区边缘的厚度相当于场效应管栅极多晶硅加HBT管发射极多晶硅厚度，刻蚀时有足够的刻蚀量来去除本结构外沿的发射极多晶硅加锗硅层，来保证结构和其它区域的锗硅层分离开。