[发明专利]一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件在审
| 申请号： | 201810694486.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108899367A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;张葶葶;朱廷刚;朱友华 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层；所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气，所述二维电子气在所述p型半导体层正下方消失；所述p型半导体层与所述栅极之间插入有栅极介电层。利用本申请中各个实施例，可以降低漏电流，并增加栅极电压在漏电流可接受范围内的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 异质结构 二维电子气 氮化铝镓 常闭型 氮化镓 漏电流 栅极介电层 栅极电压 沟道层 可接受 势垒层 漏极 源极 申请 | ||
【主权项】：
1.一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层；所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气，所述二维电子气在所述p型半导体层正下方消失；所述p型半导体层与所述栅极之间插入有栅极介电层。
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