[发明专利]排气系统设备系统以及排气系统设备的清洁方法在审
申请号: | 201810687965.0 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN109216230A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 舞鴫惠治;杉浦哲郎;黄吕翔;原田稔 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 张丽颖 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供排气系统设备,减少排气系统设备的内部的副生成物的残留量而进一步提高排气系统设备的工作率。为了对半导体制造装置(12)的腔室(14)内进行排气,而在腔室(14)的下游设置真空泵(10)。气体供给装置(18)与真空泵(10)连接,而向真空泵(10)供给包含卤化氢和氮气的气体。 | ||
搜索关键词: | 排气系统 真空泵 腔室 氮气 导体制造装置 气体供给装置 副生成物 设备系统 残留量 工作率 卤化氢 排气 清洁 | ||
【主权项】:
1.一种排气系统设备系统,其特征在于,具有:排气系统设备,该排气系统设备能够设置在所述腔室的下游,以对制造装置的腔室内进行排气;以及气体供给装置,该气体供给装置与所述排气系统设备连接,能够将包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体向所述排气系统设备供给。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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