[发明专利]排气系统设备系统以及排气系统设备的清洁方法

说明书

本发明提供排气系统设备，减少排气系统设备的内部的副生成物的残留量而进一步提高排气系统设备的工作率。为了对半导体制造装置(12)的腔室(14)内进行排气，而在腔室(14)的下游设置真空泵(10)。气体供给装置(18)与真空泵(10)连接，而向真空泵(10)供给包含卤化氢和氮气的气体。

技术领域

本发明涉及排气系统设备系统。

背景技术

在制造半导体器件、液晶面板、LED、太阳电池等的制造装置中，向排气成真空的工艺腔内导入工艺气体而进行成膜处理或蚀刻处理等各种处理。为了对制造装置的腔室内进行排气，而在制造装置的腔室的下游设置排气系统设备。排气系统设备具有：真空泵、除害装置、将真空泵和除害装置彼此连接的配管、以及将腔室与真空泵或除害装置连接的配管等。

真空泵对进行成膜处理或蚀刻处理等各种处理的工艺腔进行真空排气。由于工艺气体包含硅烷系气体(SiH₄、TEOS等)等，给人体带来不良影响、或者出于地球温暖化的原因等给地球环境带来不良影响，因此并不优选直接向大气放出。因此，在通过设置在真空泵的下游侧的除害装置对这些废气进行无害化处理之后向大气放出。

真空泵为了将半导体制造装置的腔室维持在真空状态，而对腔室内部的气体进行排气。由于向腔室内部供给的成膜用的气体包含生成副生成物的气体，因而副生成物与排出气体一同流入真空泵等、或者在泵内部等产生副生成物。被带入真空泵内部的副生成物或者在泵内部生成的副生成物夹在真空泵的转子之间或者转子与收纳转子的外壳的间隙等中。因此，副生成物阻碍真空泵的正常的旋转。

生成副生成物的气体是作为半导体制造装置的目的的晶片成膜工序(制造工序)等所需的气体。真空泵的功能的前提是对向制造装置供给的所有的气体进行排气，无法避免副生成物的生成。半导体制造装置的用户要求在半导体制造装置制造制品时(成膜工序中)不停止真空泵。这是因为，当在成膜工序中真空泵停止时，必须废弃所有的制造中的制品，产生不期望的成本。并且，用户为了提高制造装置的工作率，期望真空泵的连续运转时间的延长，以使得在泵维护时期(例如，真空泵的定期更换时期)之前使真空泵不停止。

在日本特许第5562144号所记载的技术中，为了防止工艺气体的副生成物堆积成阻碍转子的旋转的情况，提出进行刮落堆积物的生成物对策运转。

作为其他的防止对策，通过泵的低温化或者高温化来抑制副生成物的生成、或者防止副生成物的固体化。具体而言，利用真空泵所生成的压缩热、设置于真空泵的加热器、在真空泵外部循环的冷却水而减少生成物。在该情况下，考虑生成物固有的温度(反应温度或升华温度)而进行泵的低温化或者高温化。在以上的以往技术中，残留有无法通过泵的低温化或者高温化来防止固态化的副生成物，期望减少残留量而进一步提高真空泵等的工作率。

专利文献1：日本特许第5562144号

发明内容

发明要解决的课题

本发明的一个方式是为了解决这样的问题点而完成的，其目的在于，提供如下的排气系统设备：减少堆积在真空泵的转子或者外壳表面上的副生成物的堆积量而进一步提高排气系统设备的工作率。

为了解决上述课题，在第一方式中采用如下结构，提供排气系统设备系统，其特征在于，该排气系统设备系统具有：排气系统设备，该排气系统设备能够设置在所述腔室的下游，以对制造装置的腔室内进行排气；以及气体供给装置，该气体供给装置与所述排气系统设备连接，能够将包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体向所述排气系统设备供给。

在本实施方式中，通过包含卤化氢、氟、三氟化氯中的至少一种的气体对残留在排气系统设备的副生成物中的占了该副生成物的大部分的二氧化硅(SiO₂)进行分解。例如，使用氟化氢(HF)而引起以下的反应。