[发明专利]一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201810687267.0 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660886A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;张兆梅;厉夫吉;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，包括步骤如下：(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；(2)粗化P型层的表面；(3)在P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；(4)在透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；(5)去除衬底，(6)刻蚀重掺N型层、量子阱层、P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在重掺N型层上制备N电极；(8)对玻璃层进行研磨；(9)切割，即得。本发明利用低温玻璃粉，形成出光层，该层既作为基底支撑，又作为光出射层，此工艺方式不需要高压键合，不需要永久基板键合。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电薄膜 复合薄膜 制备 重掺N型 量子阱层 玻璃层 衬底 键合 低温玻璃粉 表面制备 工艺方式 光出射层 基底支撑 永久基板 四元LED 研磨 出光层 反极性 粗化 刻蚀 去除 切割 芯片 生长 | ||
【主权项】：
1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：/n(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；/n(2)粗化所述P型层的表面；/n(3)在所述P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；/n(4)在所述透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；/n(5)去除所述衬底，/n(6)刻蚀所述重掺N型层、所述量子阱层、所述P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；/n(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在所述重掺N型层上制备N电极；/n(8)对所述玻璃层进行研磨；/n(9)切割，获得独立的反极性AlGaInP四元LED芯片。/n
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