[发明专利]一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；

(2)粗化所述P型层的表面；

(3)在所述P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；

(4)在所述透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；

(5)去除所述衬底，

(6)刻蚀所述重掺N型层、所述量子阱层、所述P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；

(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在所述重掺N型层上制备N电极；

(8)对所述玻璃层进行研磨；

(9)切割，获得独立的反极性AlGaInP四元LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)，在所述透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层，包括：

A、将低温玻璃粉与高纯水调成膏状混合物；低温玻璃粉与高纯水的质量体积比为(1:0.5)-(1：5)；

B、将膏状混合物涂敷在所述透明导电薄膜或复合薄膜上，厚度为1-2mm；

C、按照以下步骤进行玻璃粉固化，形成玻璃层；包括：

①在86℃的恒温条件下，静置5-10min；

②在3-5min时间内升温至115℃，在115℃的恒温条件下，静置3-5min；

③在5min时间内升温至200℃，在200℃的恒温条件下，静置5min；

④在5min时间内升温至350-450℃，在350-450℃的恒温条件下，静置30-60min；

⑤在20min时间内升温至200℃，取出，即得。

3.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)，粗化所述P型层的表面，包括：利用HF、HNO₃和CH₃COOH的混合腐蚀液，在腐蚀液25-35℃温度条件下，浸泡所述P型层30-120s；所述混合腐蚀液中，各物质的HF、HNO₃和CH₃COOH的体积比为3:2:4。

4.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)之后，执行以下步骤：

a、粗化所述N型重掺层；

b、在所述N型重掺层表面制备ODR薄膜。

5.根据权利要求4所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤a，粗化N型重掺层，包括：采用离子束轰击法或溶液湿法粗化粗化N型重掺层。

6.根据权利要求4所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述ODR薄膜的材质为SiO₂、Ti₂O₃、Al₂O₃、aO；或者，所述ODR薄膜包括材质为SiO₂、Ti₂O₃、Al₂O₃、aO中不同材料的组合膜层，每个膜层的厚度为芯片发光主波长的1/4。

7.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(8)，对所述玻璃层进行研磨至100-180um；

进一步优选的，所述步骤(8)，对所述玻璃层进行研磨至110-160um；

最优选的，所述步骤(8)，对所述玻璃层进行研磨至120um。

8.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明导电薄膜的材质为ITO或AZO；所述复合薄膜的材质为SiO₂和TCF。