[发明专利]一种二极管芯片窗口层的制作方法在审
| 申请号： | 201810683194.8 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660884A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘程秀 | 申请（专利权）人： | 刘程秀 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214035 江苏省无锡市梁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二极管芯片窗口层的制作方法，主要利用金属有机化合物即铟锡氧化物（ITO）气相淀积法(MOCVD)外延生长二极管材料时,在上限制层生长结束后,继续用MOCVD外延生长工艺进行N型掺杂ITO薄膜的低温生长,作为发光二极管窗口层,控制窗口层厚度为≤1.9μm。用ITO作为LED窗口层,可使窗口层在直流电流浸入时,具有更佳的电流扩展和透光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口层 金属有机化合物 外延生长工艺 二极管材料 二极管芯片 发光二极管 铟锡氧化物 浸入 低温生长 电流扩展 控制窗口 上限制层 透光效果 外延生长 直流电流 层厚度 淀积法 生长 制作 | ||
【主权项】：
1.一种二极管芯片窗口层的制作方法，主要利用铟锡氧化物（ITO）作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生长方法，其布拉格反射层、下限制层、有源层、上限制层等均按已有工艺由计算机控制生长，其特征是在结束上限制层生长后，将样品放入ITO专用MOCVD设备中，进行铟锡氧化物（ITO）窗口层的生长方法。/n
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