[发明专利]一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法有效
申请号: | 201810665064.1 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108831850B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 贾旭涛;赵克宁;刘丽青;张广明;肖成峰 | 申请(专利权)人: | 潍坊华光光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;H01S5/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 261061 山东省潍坊市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法,包括如下步骤:a)平均等分成两个半圆片;b)完成覆膜;c)分割成两个等分的扇形片;d)割成两个等分的晶圆块;e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条宽度的2‑3倍,当晶圆块的宽度小于巴条宽度的2‑3倍时停止裂片,当晶圆块的宽度大于巴条宽度的2‑3倍时执行步骤f);f)沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割;g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。解决了晶圆片解巴条逐条裂片时腔面挤伤严重的问题,在保证生产效率的前提下大幅度的提高了产品质量,使成品率大幅度提高。在裂片过程中巴条P面与N面压痕减轻,保证质量,节约成本,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 激光 器用 解巴条 分裂 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法,其特征在于,包括如下步骤:a)将一个完整的晶圆片(2),以垂直于大解离边(2)的方向将晶圆片(2)平均等分成两个半圆片(3);b)将半圆片(3)放置到蓝膜上,完成覆膜;c)将覆膜后的半圆片(3)以取中心的方式划制第一裂片线,第一裂片线平行于大解离边(2),沿第一裂片线进行裂片操作将半圆片(3)分割成两个等分的扇形片;d)将扇形片以取中心的方式划制第二裂片线,第二裂片线平行于第一裂片线,沿第二裂片线进行裂片操作将扇形片分割成两个等分的晶圆块;e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条(4)宽度的2‑3倍,当晶圆块的宽度小于巴条(4)宽度的2‑3倍时停止裂片,当晶圆块的宽度大于巴条(4)宽度的2‑3倍时执行步骤f);f)将晶圆块以取中心的方式划制裂片线,该裂片线平行于第二裂片线,沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割;g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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